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ST마이크로일렉트로닉스가 일반형 구성으로 1200 V 실
리콘 카바이드(SiC) MOSFET을 탑재한 STPOWER 모듈
2종을 출시했다. 각 모듈마다 ST의 ACEPACK[1] 2 패
키지 기술이 적용돼 높은 전력 밀도와 간편한 조립이 가능
하다.
신제품 중 첫 번째 모듈인 A2F12M12W2-F1은 4팩 모
듈로서 편리한 소형 풀 브리지(full-bridge) 솔루션을 제공
하며 DC/DC 컨버터와 같은 회로에 적합하다. 또 다른 모
듈인 A2U12M12W2-F2는 3레벨 T형 토폴로지를 사용해
전도 및 스위칭 효율이 높으면서도 출력 전압 품질을 일관되
게 유지한다. 두 모듈에 탑재된 MOSFET은 ST의 2세대
SiC 기술을 활용하며, 이는 RDS(on) x 다이 영역 성능 수
치(FOM)가 뛰어나 손실을 최소화하면서도 고전류 처리 성
능을 높여준다. 풀 브리지와 T형 토폴로지 모두 다이당 13
mΩ의 RDS(on) 대표값을 갖춰 고전력 애플리케이션을처리하고 저소산으로 열관리가 간편해 탁월한 에너지 효율
성을 보장한다.
A C E P A C K 2 패키지는 효율적인 알루미나 기판과
DBC(Direct Bonded Copper) 다이가 부착돼 크기가 작
으며 전력 밀도를 높여준다. 외부는 프레스 핏 핀으로 연결
하므로 충전소, 에너지 저장소, 태양 에너지의 전력 변환과
전기 자동차(EV)처럼 잠재적으로 혹독한 환경의 장비에서
도 조립이 간편하다. 이 패키지는 2.5 kVrms의 절연 기능
을 제공하며, NTC 온도 센서가 내장돼 시스템을 보호하거
나 진단하는 데 사용할 수 있다.
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