인피니언 테크놀로지스는 1200 V 3상 게이트 드라이버를 출시하면서 레벨 시프트 EiceDRIVER™ 포트폴리오를 확대한다고 밝혔다. 자사의 SOI(silicon-on-insulator) 기술을 기반으로 한 신제품은 업계 최고 네거티브 VS 트랜션트 내성, 뛰어난 래치업 내성 및 빠른 과전류 보호를 제공하고, 부트스트랩 다이오드를 모노리식 방식으로 통합했다. 따라서 BOM을 낮추고 컴팩트한 폼팩터로 견고한 설계가 가능해 산업용 드라이브 및 임베디드 인버터 애플리케이션에 적합하다.
레펠 시프트 게이트 드라이버 6ED2230은 350 mA/650 mA 소스 및 싱크 드라이브 기능을 제공한다. 통합된 데드타임 기능은 슈트쓰루를 방지하며, 과전류 보호 비교기는 +/-5 % 레퍼런스 임계값 정확도로 빠르고 반복 가능하고 신뢰할 수 있는 스위치 보호를 제공한다. 내장된 부트스트랩 다이오드는 40 Ω의 매우 낮은 정격저항으로 매우 빠른 역회복을 제공한다. 반복하는 700 ns 와이드펄스의 –100 V 네거티브 VS 과도 전압 내성은 뛰어난 견고성과 신뢰할 수 있는 동작을 지원한다. 로우 및 하이 사이드 전압 전원은 안전한 동작을 위한 독립적인 저전압 록아웃(UVLO)을 제공한다. 고유의 DSO-24 풋프린트는 패키지 반대편에 저전압과 고전압을 분리하므로 공간거리와 연면거리를 더욱 증가시킨다.